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近期，斯达半导发布业绩快报，2021年公司营业收入为17.07亿元，同比增长77.22%；净利润3.98亿元，同比增长120.54%。
作为国内IGBT龙头，斯达半导于2011年和2015年独立研发出IGBT第四代NPT型芯片和第六代FS-Trench芯片，并量产制造成模块，打破了国外跨国企业长期以来对IGBT芯片的垄断。
2020年2月4日，斯达半导正式在上交所挂牌上市，当日市值达20.38亿元。经过两年多时间发展，斯达半导市值迅速上涨至近590亿元。
一个必须面对的现实是，IGBT行业几乎被国外大厂垄断。英飞凌、安森美、三菱、富士机电、意法半导体等占据了全球60%市场。其中，排名第一的英飞凌市场占有率超过20%。
相比之下，斯达半导在全球市场占比不到3%，未来还有很大的发展空间。
1、IGBT「中国龙头」崛起，35亿定增布局黄金赛道
斯达半导成立于2005年，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的企业。公司主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。
简单来说，功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，它的作用类似于人类的心脏，主要用于电压、频率的调节以及直流交流转换。
从最初的二极管到晶闸管到MOSFET再到IGBT，功率半导体也在不断发展演进。IGBT是最新一代的功率半导体，也被誉为「电力电子器件里的CPU」。
目前，斯达半导已经研发出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块，实现了进口替代。其中，IGBT模块是封装模块化后的IGBT芯片，也是斯达半导的主要业务。斯达半导的IGBT模块最初用于工控领域，现已拓展至新能源车和光伏风电及变频家电领域。
根据Omdia报告，2020年斯达半导IGBT模块排名全球第六，较2019年提升一名，全球市占率达2.8%，同比增加0.3%，是国内唯一进入全球IGBT模块前十的公司。
2021年，斯达半导产品在下游行业持续突破，营业收入实现高速增长。业绩快报显示，2021年公司营业收入为17.07亿元，同比增长77.22%；净利润3.98亿元，同比增长120.54%；归属于上市公司股东的净利润3.98亿元，同比增长120.54%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润3.78亿元，同比增长143.33%。
为进一步打开成长空间，斯达半导不断加大研发投入。2021年11月15日，斯达半导公布定增结果。据披露，斯达半导此次发行数量10,606,060股，发行价格330元/股，募资总额约35亿元。
此次募集资金将用于投资碳化硅芯片和功率半导体模块等项目，包括高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目、SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目、以及补充流动资金。
中泰证券研报显示，项目达产后，预计获得年产30万片6寸高压功率晶圆、6万片SiC晶圆、400万个功率模块的产能。这使得：1）公司具备3300V及以上IGBT模块的供应能力，可进一步拓宽对现有客户如汇川技术、英威腾、西门子的出货范围；2）公司将拥有自主的车规SiCMOSFET芯片，从而提升车规级SiC模块的产能保障能力。
2、发力新能源汽车，挑战「全球霸主」英飞凌
新能源车是IGBT下游门槛最高的细分之一，也是兵家必争之地。据悉，IGBT模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用，被广泛应用于电机控制器、车载空调、充电桩等设备。根据EV tank预测，2025年我国新能源汽车IGBT市场规模将达165亿元。
据2021年半年报，斯达半导生产的用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，累计配套超20万辆新能源汽车；基于第六代Trench FieldStop技术的650V/750V IGBT芯片及配套快恢复二极管芯片的模块新增多个车型的主电机控制器平台定点，将拉动公司新能源汽车领域IGBT模块销售增长；基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的新一代车规级650V/750V IGBT芯片也预计于2022年开始批量供货。
斯达半导虽然已跻身国内车规级IGBT模块产品的主要供应商之列，但相比英飞凌还有很大的差距。作为汽车电子、功率半导体和安全IC的头部企业，英飞凌始终保持着强劲的市场增长与半导体产能供应能力。
英飞凌2021财年实现营业收入110.6亿欧元，同比增长29%；总运营利润达到20.72亿欧元；运营利润率为18.7%；自由现金流达到15.74亿欧元。
对斯达半导来说，能否利用SiC、GaN第三代半导体弯道超车国际大厂，是更大的挑战和机遇。与第一二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料。
目前，国内外各大功率半导体厂商，均已对第三代半导体进行布局。英飞凌宣布投资20亿欧元在马来西亚建造第三个厂区，以提高自身在宽禁带半导体领域的制造能力，目标是到本世纪中期通过基于SiC的功率半导体实现10亿美元的收入。
此前，特斯拉在Model 3率先采用以24个SiC-MOSFET为功率模块的逆变器。比亚迪「汉」的电机控制器中也已开始应用SiC-MOSFET模块。
需要注意的是，基于高昂的成本和稳定性的考虑，SiC材料的功率器件想要大规模替代传统IGBT仍需时间。在这个窗口期，叠加缺芯危机为国产替代创造的机遇，斯达半导有望脱颖而出，挑战全球霸主英飞凌。
