1月12日，国内碳化硅行业龙头天岳先进正式登陆科创板，股票代码688234。本次IPO天岳先进发行价格82.79元。上市首日，天岳先进开盘破发。截至收盘，天岳先进报85.5元，涨3.27%，市值367亿元。
经过10余年的发展，天岳先进规模不断扩大。近三年来，天岳先进共经历5次股权转让及4次增资，引入了哈勃投资、深创投、中微公司等投资机构或公司。值得一提的是，哈勃投资为华为旗下的全资子公司，持股近7%。
1、碳化硅衬底“第一股”
天岳先进成立于2010年11月，是一家宽禁带半导体(第三代半导体)衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售。
半导体是电子产品的核心，是信息产业的基石，亦被称为现代工业的“粮食”。常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。
第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，第二代半导体材料是以砷化镓为代表，第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。
碳化硅衬底材料作为战略性新兴产业新一代信息技术产业的基础核心原材料之一，天岳先进经过十余年发展，已掌握涵盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术。
其中，半绝缘型碳化硅衬底处于5G通信等行业上游，属于前沿、基础的核心关键材料。在国外部分发达国家对我国实行技术封锁和产品禁运的背景下，公司产品实现了我国核心战略材料的自主可控。
根据Yole统计，天岳先进在全球半绝缘型碳化硅衬底领域市场份额全球排名第三，市场占有率由2019年的18%提升至2020年的30%，是目前全球半绝缘型碳化硅衬底的主要企业。公司产品已批量供应至国内碳化硅半导体行业的下游核心客户，同时已被国外知名的半导体公司使用。
在导电型碳化硅衬底领域，天岳先进6英寸产品已送样至多家国内外知名客户，并于2019年中标国家电网的采购计划。
不过，与全球行业龙头相比，天岳先进在产品和技术方面仍然存在一定的差距。
近年来，虽然国内逐步对碳化硅衬底行业加大投资，但是国内产业发展仍滞后于国外。
公开资料显示，天岳先进设立于2010年，国内同行天科合达设立于2006年，而全球行业龙头科锐公司成立于1987年，1993年在美国纳斯达克上市；另一家巨头贰陆公司成立于1971年，1987年在美国纳斯达克上市，这两家企业均具有丰富的产业化经验和极强的规模、产能优势。
以半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上，全球行业龙头企业分别早于天岳先进10年以上及7年以上。目前，天岳先进尚不具备8英寸衬底的量产能力，全球行业龙头企业已于2019年或以前具备8英寸衬底量产能力。
根据公开信息，科锐公司能够批量供应4英寸至6英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底，且已成功研发并开始建设8英寸产品生产线。
碳化硅衬底产品的核心技术参数包括直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度。对比如下：
另外，由于起步相对较晚，天岳先进部分原材料和加工检测设备依赖外资供应商等，技术创新难度相对更大，因此发行人在供应链配套对产品技术影响方面，与行业龙头企业尚存在一定差距。
2、扭亏为盈，华为持股7%
招股书显示，天岳先进已同时具备半绝缘型碳化硅衬底材料和导电型碳化硅衬底材料的研发技术产业化能力。
2018年至2020年及2021年上半年，公司碳化硅衬底产量（各尺寸产量简单相加数）合计分别为11,463片、20,159片、47,538片和28,114片。
为满足国家战略需要，天岳先进将报告期内的产能主要用于半绝缘型碳化硅衬底的生产。2018年至2020年及2021年上半年，公司主营业务收入主要来自于半绝缘型碳化硅衬底收入，占主营业务收入比重90%以上。
财务数据方面，在2018年至2020年，天岳先进归属于母公司所有者的净利润分别为-4213.96万元、-20068.36万元、-64161.32万元。2019年和2020年尚未盈利主要系实施股权激励确认高额股份支付费用所致，扣除非经常性损益后2019年、2020年均已实现盈利。
天岳先进资产负债状况良好。截至2021年9月30日，公司资产总额为250,131.10万元，较上年末增长1.35%；归属于母公司所有者的权益为218,621.26万元，较上年末增长2.49%。
2021年1-9月，天岳先进实现营业收入37,010.35万元，较上年同期增长29.91%；归属于母公司股东的净利润5,353.43万元，较上年同期出现增加；扣除非经常损益后归属于母公司股东的净利润2,294.67万元，较上年同期增长17.75%。
研发方面，天岳先进设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站等国家和省级研发平台，承担了多项国家和省部级项目。截至2021年6月末，公司拥有授权专利332项，2019年获得了国家科学技术进步一等奖。
近年来，天岳先进持续加大大尺寸衬底及导电型衬底等新产品的研发。报告期内，公司研发费用金额分别为1,231.38万元、1,873.07万元、4,550.09万元和4,167.31万元，占各期营业收入的比例分别为9.05%、6.97%、10.71%和16.86%，
天岳先进预计，2021年全年可实现营业收入为4.65亿元至5.05亿元，较2020年增长9.46%至18.88%；归属于母公司股东净利润为6500万元至10500万元；扣非后归属于母公司股东净利润约为1200万元至2500万元。
虽然天岳先进收入逐年增长，但是面临的风险也不容忽视。
鉴于行业特点，天岳先进非常依赖大客户。招股书显示，2018年至2020年及2021年上半年，天岳先进前五大客户的收入占营业收入的比例分别为80.15%、82.94%、89.45%和91.68%，客户集中度较高。
其中，公司前两大客户客户A和客户B的收入占比较高，报告期内分别为55.68%、65.96%、78.75%、65.74%。
此外，从碳化硅衬底下游应用发展的具体情况看，相较于成熟的硅片制造工艺，碳化硅衬底短期内依然较为高昂，一定程度上限制了碳化硅器件的渗透率。
目前，碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的降成本、促销售的可行性和预期进展仍存在较大的挑战。
从股权结构看，天岳先进可谓资本的宠儿。公司控股股东、实际控制人为宗艳民。2019年，天岳先进第四次增资中，引入了哈勃投资；同年12月，天岳先进又通过增资引入众海泰昌、辽宁海通新能源和辽宁中德。
值得一提的是，哈勃投资为华为旗下的全资子公司，持股占比分别约为7%。
最近一年，天岳先进新增股东包括济南国材、辽宁正为、镇江智硅、金浦国调、广东绿色家园、深创投、青岛铁岳、中微公司、先进制造、上海国策、安岱汇智、青芯诚明、广东绿技行、青岛源创、万向创业、淄博创新、上海衮石、海通创新、宁波云翊、青岛华锦、济南舜兴、泛海愿景、深圳星创融、潇湘海润、宁波尚融、金浦新潮创业、金浦新潮新兴、嘉兴钰鑫和株洲聚时代等投资机构。
天岳先进表示，上述股东因看好公司发展前景，通过增资或受让股权的方式入股公司。
3、抢占战略高地，危机并存
碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。
目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。
同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。
近年来，国家出台了《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》《“战略性先进电子材料”重点专项2020年度项目》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》等一系列政策对宽禁带半导体行业进行支持和鼓励。
同时，为防范半导体行业投资过热等风险，“国务院关于促进集成电路产业健康发展的指导意见”要求对集成电路重点项目实施项目窗口指导，强化高风险项目管理。
对天岳先进而言，若国家降低对宽禁带半导体产业扶持力度，或者国家出台进一步的约束性产业政策或窗口指导等措施，或公司拟投资项目被纳入约束性产业政策监管调控范围，进而导致公司无法扩大生产规模，将对公司运营、持续盈利能力及成长性产生不利影响。
中信建投证券研报显示，在碳化硅领域，衬底是产业链最重要的环节，对于器件厂综合竞争力的要求已经从设计、制造和封测一体化延伸至上游衬底材料的全产业链把控，目前全球范围内的衬底争夺战基本结束，未来国内功率器件厂商对于衬底资源的掌控将成为碳化硅新世界的核心竞争力。
目前，全球宽禁带半导体行业总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。
由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。
天岳先进本次发行募集资金总额为35.58亿元，扣除发行费用后，募集资金净额为32.03亿元。根据计划，天岳先进IPO募集资金拟用于碳化硅半导体材料项目，进一步提升碳化硅衬底材料的生产能力、生产技术、生产效率和精益化制造水平，从而使公司突破现有的产能瓶颈。未来，公司将专注半导体材料的研发与生产，成为国际先进的半导体材料公司，并致力于实现我国半导体材料的自主可控。
