「半导体目前作为优先发展产业，阶段性目标是自给率从20%提高到40%，然后在2025年提高到70%。」
然而，目前国产关键存储器芯片DRAM、NAND的市场份额基本为零。在美国「技术制裁」不断升级的当下，填补技术空白，构建产业链条，降低海外依赖的行动刻不容缓。
撰文 | 吴昕
机器之心6月29日消息，据日经新闻援引消息人士称，清华紫光集团在重庆的DRAM芯片建厂计划将于年底前动工。消息称，由于美国实施制裁升级，中国半导体产业链正在努力实现减少对海外供应商的依赖。
目前，市场上主要有两种存储器产品，一种是DRAM（动态随机存储器），用于缓存，还一种是NAND Flash（闪存），用于数据的存储。
中国大陆在这两个领域基本上都依靠进口。赛迪智库数据显示，2018年，中国大陆进口集成电路3120.6亿美元，其中存储器占集成电路进口金额的39%，达到1230.6亿美元。
而在DRAM领域，全球由韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控，占据了全球超过90%的市场份额。今年5月，多款搭载长鑫存储DRAM芯片的内存条上市，刚刚实现我国自主研发DRAM芯片市场零的突破。
一 被疫情耽误的建厂计划
事实上，紫光集团在重庆的建厂计划早在2019年8月已经启动。
当时清华紫光集团和重庆市政府签署了紫光存储芯片产业基地项目合作协议，紫光将在重庆的两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司（下称紫光国芯）和重庆紫光集成电路产业基金，在重庆建设紫光DRAM事业群总部、DRAM总部研发中心、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。
重庆工厂主要用于制造12英寸的DRAM存储芯片，最初设定目标是2019年底开工建设，并在2021年开始大规模生产。 但是因为各类原因导致建厂计划一再拖延，包括受到新型冠状病毒爆发的影响。
现在，项目推进重新被列上议程。据悉，目前该工厂计划延期至2022年投产，将大规模生产用于智能手机和其他设备的DRAM芯片。
紫光表示，在芯片工厂建成前，将先在现有芯片工厂内设立产品中试生产线，进行产品生产工艺技术研发，待工艺成熟后，再在紫光重庆芯片工厂量产。
尽管紫光没有透露该工厂的年产能或投资规模，但消息人士称，该公司未来十年在DRAM重庆工厂项目的总投资将达到8000亿元人民币（合1100亿美元）。
据《重庆商报》，项目签署时，紫光集团联席总裁于英涛在内部会议上表示，该存储芯片工厂的投资规模将达数百亿元。目前来看，该项目的投资与规模可能扩大。
台湾媒体评论，紫光集团的吸才力道，不亚于四年前该集团投入快闪记忆体和合肥长鑫投入DRAM，已引起全球半导体产业震撼，也让台厂高度警戒。
与此同时，紫光集团在日本的子公司近期也开始投入运营，主要用于设计DRAM芯片及技术研发。该团队由官坂本幸雄牵头，将从其他日本半导体公司寻找人才。
坂本幸雄来头不小，他是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商 尔必达（ELPIDA）前董事长和CEO，凭一己之力挑战韩国芯片公司的地位，鼎盛时期占据全球50%的份额，不过最后还是在韩国的打压中败下阵来。
坂本幸雄被聘为紫光日本分公司的运营人，有足够丰富的公司运营经验、技术积累和人脉资源，此次在紫光最主要的工作可能就是拓展全球市场和募集人才，计划在日本招募100名技术人员，「日本还有许多能开发存储器的人才，我们准备了相当于日企五六倍的报酬。」
日经分析称，如果清华紫光要生产具有国际竞争力的DRAM芯片，它将需要美国制造设备。然而，美中对抗的加剧可能阻碍其获得相应设备。
二 紫光的内存布局
紫光早就酝酿进入DRAM领域。2015年便开始筹划DRAM生产，同年62岁的高启全加入了紫光，任紫光集团全球执行副总裁。
高启全从90年代便开始在DRAM领域从业，那时台湾DRAM先驱南亚科技刚刚产生，后来于美光共同成立合资公司华亚科，从两大韩国企业手中抢夺了不少市场份额。
紫光DRAM事业群CEO高启全，被成为台湾「存储教父」
可惜台湾最终没抵挡得住韩国的挤压，业务持续亏损最后卖身给美光。加入紫光时，高启全可以说是带着一股不甘心的精神气和重启DRAM事业决心的。
紫光首先试图以并购的方式快速积累DRAM壁垒。
曾意向收购存储芯片相关企业西部数据、台湾力成、台湾矽品和台湾南茂科技，同时像台积电和美光抛去来橄榄枝，均以失败告终。
2015年，紫光从西安华芯（后更名为西安紫光国芯）撕开来DRAM的口子，一举将其收入囊中，奠定了紫光DRAM的技术基底。
西安华芯前身是从德国英飞凌分拆出的奇梦达，奇梦达DRAM产品销量曾稳居全球第二，是300mm晶圆领导者和PC及服务器DRAM产品市场最大的供应商之一。
西安华芯拥有英飞凌存储器事业部的班底，其团队领导者任奇伟被业内称为「大陆DRAM设计第一人」。
此前，华芯曾被浪潮集团收购成立，成为国产存储器唯一的一颗火种，合肥长鑫技术也正是来源于与此，接过堆叠式架构的相关技术专利，让制成迈入10nm。
2018年10月11日，紫光国微拟作价2.2亿元向紫光存储出让西安紫光国芯100%股权。紫光国微称，西安紫光国芯持续加大DRAM存储芯片产品的开发投入，但短期内无法达到规模经济，资产负债率不断提高，已影响到紫光国微的正常持续经营，故而将其转让。
2019年6月30日，紫光的DRAM战略正式起航。
紫光集团正式成立DRAM事业群，集团联席总裁刁石京任董事长、全球执行副总裁高启全任CEO。
在对外介绍中，紫光方面表示，西安紫光国芯拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等技术积累，已经有数十款产品实现全球量产和销售。
紫光还表示，未来，紫光内部的ICT企业新华三、紫光存储、手机芯片企业紫光展锐等公司将相互配合，以实现存储芯片与系统应用的匹配、检验、调优，让产品成功落地。
即便如此，外界仍认为，要想在DRAM领域突破韩国企业的垄断和专利封锁仍非常困难，中国企业尤其需要注意。
芯谋研究首席分析师顾文军在接受财新记者采访时曾表示，因为DRAM更加成熟、高度集中和更加「标准」的产业特性，做DRAM的难度要远超 NAND Flash，任何新进入者都面临着技术来源、团队、专业化运营和成本的几大难题，福建晋华被禁，是一个警示。
福建晋华此前主攻DRAM市场，但成立不到两年，就被美国存储巨头美光告上加州法庭，称其涉嫌窃取商业机密。2018年10月29日，美国商务部宣布，将福建晋华列入出口管制的实体清单，直接导致其生产停摆。
三 存储器市场已构筑「三驾马车」，但核心市场仍待开荒
目前，国内有三大存储芯片企业，紫光集团旗下的长江存储主攻3D NAND存储器，福建晋华和合肥长鑫主攻DRAM，希望填补国内技术空白。
今年，长江存储在 3D NAND 、长鑫存储在DRAM领域的突破有为本土存储器厂商寻得一些机遇。
4 月 ，长江存储正式发布两款 128 层 3D NAND 闪存。长江存储市场与销售高级副总裁龚翊对此表示，长江存储在 3D NAND 闪存领域已经基本追平国际先进水平，在某些领域甚至有所领先。
5月，多款搭载长鑫存储DRAM芯片的内存条上市，下游合作厂商包括江波龙、光威等。
模组厂商江波龙于5月15日宣布，长鑫存储的颗粒已通过其EVT完整的颗粒级测试，并已推出三款搭载长鑫存储颗粒的内存产品。
自2016年项目启动以来，长鑫存储的造芯计划就备受关注。这是一家由合肥市政府出资、芯片设计厂商兆易创新参与投资的企业。2019年9月，中国首款DRAM芯片长鑫DDR4投产。
目前，国内三大存储芯片厂商虽然都在追赶国际先进水平，然而不可否认的是，存储芯片厂商仍然处于寡头垄断的竞争格局，尤其在DRAM核心技术市场仍亟待更多从业者开荒。
